| 型号： | IRF7464TRPBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRF7464TRPBF PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 730 毫欧 @ 720mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IRF7464PBFTR IRF7464TRPBF-ND IRF7464TRPBFTR-ND |